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碳化硅陶瓷的制备方法

2018-08-11

碳化硅陶瓷的制备方法也不是什么秘密,基本行业当中都很清楚,只是各厂商再制备过程中的工艺控制不太相同,下面为大家介绍下碳化硅陶瓷的制备方法。

(1)热压碳化硅陶瓷

虽然在2000度以上的温度和350MPa以上的压力可以使纯SIC热压致密,但是通常还是采用加入添加剂的方法。热压添加剂有两类:一类与碳化硅中的杂质形成液相,通过液相促进烧结;一类是与SiC形成固溶体降低晶界能促进烧结。

(2)常压碳化硅陶瓷

常压烧结碳化硅也命名为无压烧结碳化硅,在烧结到2100度以上的温度下,生成高纯度、高致密的碳化硅陶瓷。

(3)反应碳化硅陶瓷

反应烧结碳化硅又称为自结合SIC。将碳化硅粉和石墨粉按一定的比例混合压成坯体块,加热到1650度左右,通过气相与C反应生成。

以上就是对碳化硅陶瓷的制备方法的介绍,更多有关碳化硅陶瓷的内容请继续浏览www.chinameida.com.cn

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